kSA MOS用于测量晶元曲率、薄膜应力、反射率和生长速率,并由此改善薄膜制备工艺,从而提高薄膜器件质量、缩短研发周期,同时也大大节省了成本。

Animation kSA MOS 2D理解、控制薄膜制备和热退火工艺中的应力,对于达到预期的光学、电学和机械特性至关重要。

目前大部分高性能的器件都依赖于或设计时需考虑每一层的内应力,以达到特定的性能。然而,在薄膜制备过程的任何环节都可能引起不必要的薄膜应力变化,并这可能导致器件性能降低以及薄膜分层脱落或出现裂纹。

X射线衍射(XRD)或表面轮廓测量等传统的非原位应力/应变测量方法只能在工艺完成后测量整体应力,但完全忽略了工艺过程中薄膜应力的动态变化。在薄膜制备工艺过程中,能够在原位测量应力/应变,对控制和调整薄膜制备每一个环节中诱发整体应力的机制有很大帮助。

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