分子束外延（MBE）是一种超高真空（UHV）薄膜沉积技术，被广泛认为是最可控和纯度最高的沉积形式，目前被用于产品研发和大批量生产。大多数分子束外延设备都能生长出高质量的外延薄膜。

将高纯度（99.999%或更高)生长材料的固体源置于由热释氮化硼(PBN)制成的坩埚中，再将坩埚加热到给定材料的蒸发温度，使蒸发出来的材料向基片定向流动，并沉积在基片上。坩埚正上方一般配有机械或气动式快门，可对沉积过程进行精确的启动/停止控制。

在采用高纯度的源材料并处于超高真空环境（通常分子束外延的基本压力为1×10-10mbar或更低）的情况下，可保证沉积材料可达到其最高纯度。若再结合基底温度的精确控制，便可以实现真正的原子逐层沉积，以及层间原子突变界面。

使用正确的工具来测量和控制这一过程对产品质量和工艺进程的效率来说至关重要。

虽然许多真空设备公司可以生产定制分子束外延系统，但全球只有很少的几家商品化的分子束外延设备制造商。k-Space与Veeco、Riber、DCA、SVT、Omicron、Eiko和Anelva等公司密切合作，确保kSA相关测量系统和他们的分子束外延（MBE）设备可完全兼容匹配，提供合适的安装方案，并将先进的I/O通信植入生长控制软件。如今这些公司的分子束外延（MBE）设备上都有k-Space工具的身影。