溅射沉积是一种通过等离子体溅射沉积薄膜的物理气相沉积（PVD）方法。溅射通过高能电离的原子（通常是氩Ar）有效地“轰击”需要溅射的材料。从靶材上溅射出来的材料，撞击并附着在基片（一般是晶片）上。从靶材上溅射出的原子具有很高的能量分布，通常可达数十电子伏（eV）。

有很多参数可以控制磁控溅射，这使得薄膜制备工艺非常复杂；但是这也在很大程度上对薄膜的生长和微观结构控制提供了操作空间。借助kSA 原位测量设备可以很好的检测和控制薄膜沉积工艺，从而为深入探索溅射条件提供了依据。