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薄膜应力和应变

原位薄膜应力、应变和晶圆曲率

在薄膜生长过程中,薄膜应力和应变会实时产生并演化,这严重影响了薄膜的性能和可靠性。k-Space 提供四种基于kSA MOS 光学技术的薄膜应力和应变测量系统。kSA MOS可用于分子束外延(MBE)、溅射、脉冲激光沉积 (PLD)、电子束蒸发和热加工热处理等薄膜沉积过程中的实时原位薄膜应力测量。kSA ICE用于金属有机化学气相沉积(MOCVD)薄膜生长过程中薄膜应力的实时原位测量,而kSA MOS UltraScan和kSA MOS ThermalScan则是用于晶圆、镜片、玻璃等衬底上薄膜应力的非原位测量。

Curvature and Stress Measurement Main

kSA MOS

原位薄膜应力测量系统,主要用于实时测量基片/晶元由于薄膜沉积或热处理引起的薄膜应力、应变和曲率。

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kSA ICE Head on Reactor from Product Specs

kSA ICE

MOS模块:原位薄膜应力测量模块,可安装在MOCVD上,对高速或低速旋转中的基片/晶元,实时测量由于薄膜生长或热处理引起的薄膜应力、应变和曲率。

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非原位薄膜应力、应变、晶圆曲率、翘曲度和倾斜

kSA MOS Ultra/ThermalScan - Wafer Curvature and Bow Measurement Main

kSA MOS Ultra/ThermalScan

非原位薄膜应力测量系统,主要用于测量整个衬底/晶片由于薄膜生长和热处理导致的薄膜应力、薄膜应变和晶元曲率、翘曲度、倾斜度的二维分布图。

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