基于kSA MOS 独家专利技术，kSA MOS UltraScan使用二维激光阵列扫描绘制半导体晶元、光学镜面、玻璃、透镜等各种抛光表面的二维曲率、翘曲度和薄膜应力分布图。kSA MOS UltraScan适用于室温条件下测量需求，若想测量晶元由于温度（高达1000摄氏度）引起的曲率、翘曲度和薄膜应力的变化，则需使用kSA MOS ThermalScan。两者都能实现晶元全自动2D扫描测量，同时获得的3D图。

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