金属有机化学气相沉积（MOCVD），有时也被称为金属有机气相外延（MOVPE），与分子束外延（MBE）相比，是一种产量更高的技术，因此是大多数化合物半导体器件，如高亮度LED（HBLED）生产工具的首选。如今世界范围内有多家研究级金属无机化学气相沉积（MOCVD）工具制造商，如Structured Materials、Taiyo Nippon-Sanso、Valence Process Equipment、Samco等。唯独VeecoTurbodisc和Aixtron两家公司，在该领域占主导地位，其生产型金属无机化学气相沉积（MOCVD）工具占据了90%以上的市场份额。

金属有机化学气相沉积（MOCVD）将气相化的材料沉积在基片上，最终通过基片表面的化学反应，生产沉积高质量的外延薄膜。由于金属有机化学气相沉积（MOCVD）是通过加热的气体流和基片表面化学反应，所以通常器件生长的基材温度比分子束外延（MBE）要高，一般在500-1500摄氏度。此外，样品通常以高达1500 RPM的速度旋转，以保证更高的均匀性和薄膜质量。此外，光学窗口的尺寸通常被限制在10mm以下，并且光路距离通常很短（如250mm或更短）。此外，由于金属有机化学气相沉积（MOCVD）工作在接近大气压的压力下，因此电子束或X射线不适用于原位测试。基于上述原因，用于金属有机化学气相沉积（MOCVD）的原位光学测量探头通常尺寸较小。kSA ICE测量系统结构紧凑，使用方便，可安装到金属有机化学气相沉积（MOCVD）工具上原位实时测量基片温度、石墨盘温度、薄膜厚度、薄膜应力/晶片曲率和表面粗糙度。