kSA BandiT主要用于薄膜沉积和热处理过程中，实时非接触、非侵入测量晶元和薄膜绝对温度。利用半导体材料与光学吸收边固有的依赖关系，kSA BandiT可在高温计无法测量的范围内对半导体温度进行实时监测：如红外波段下对透明基材（包括GaN、SiC、ZnO、AlN、Ga2O3和SrTiO3）进行测温，以及在低温段测量（例如GaAs、InP和Si）温度。此外，kSA BandiT不受普通高温计测量误差来源（如窗口透射率的变化、杂散光以及基片或加热源干扰信号等）的影响。

结合独家专利的黑体发射监测器，kSA BandiT能够监测包括低带隙基材和金属薄膜在内的大多数基材的全部温度范围。此外，由于kSA BandiT使用的是固态光谱仪，因此还可以实时测量薄膜厚度和表面粗糙度。